そのために近年、環境にやさしい優れた電子機能をもつ新規物質の開発とその基礎研究が強く求められています。その中で、田嶋准教授ら研究チームは世界で初めての「３次元単結晶」ゼロギャップ伝導状態を、有機導体 α-(BEDT-TTF)2I3に圧力をかけることによって発見しました。

　ゼロギャップ伝導体とは、半導体の伝導帯と価電子帯が点で接し、エネルギーギャップがゼロの導体を言います。特殊なエネルギー構造をとるために、固体の中で電子があたかも光と同様、質量がゼロであるかのように振る舞い、電気伝導の主役を演じます。そのため、電子デバイスに最も重要な物理量であるキャリア易動度（電子や正孔の動きやすさ）は、低温で信じられないほど高くなります。従って、この物質を舞台にして、エネルギーロスのない高速駆動電子デバイスの実現が期待できます。
　しかし、この物質へのキャリア注入方法はまだ確立していませんでした。

　これまで研究チームはゼロギャップ伝導体のデバイス化に向けて、Si基板等を利用した通常の電界効果トランジスタを作製し、この物質へのキャリア注入を試みてきました。しかし、基板と試料〔α-(BEDT-TTF)2I3〕の圧力や熱による歪（収縮・膨張率）の違いが問題となり、この物質へのキャリア注入は成功していませんでした。

　本研究では、試料の圧力や熱による歪効果がさほど変わらないプラスチック基板(PET: ポリエチレンナフタレート)の上に試料厚さ100nm程度の薄片単結晶試料を固定するだけで正孔キャリアを注入することに初めて成功しました。特徴的な量子効果も観測することに成功しました。このデバイスが非常に良質であることを示します。

　今回の成果は、低コストで環境に優しいグリーンな次世代分子性電子デバイス開発に向けた大きな第一歩となります。成果報告は、平成25年9月１日 米国の科学雑誌『Physical Review B』に掲載されるに先立ち、8月26日（日本日付：8月27日）にオンライン版に掲載される予定です。